Zer da MISFET da?

Elementu gailu erdieroaleen oinarri hazten jarraitzen du. eremuan asmakuntza bakoitza berria, hain zuzen ere, sistema elektroniko guztiak aldatzen ideia. gailu berriak diseinatzeko aldatzea zirkuituak diseinatzeko gaitasun horietako agertuko. Lehenengo transistorea (1948 g) asmakuntza geroztik denbora luzez onartu zen. zuten asmatu ditu egitura "PNP" eta "NPN", bipolarra transistoreak. Denborarekin MIS transistorea agertu da, aldaketak printzipioa eragile Azalera erdieroale geruza eroankortasun elektrikoan eremu elektriko baten eraginpean. Hori dela elementu hau beste izen - eremu bat.

TIR laburdura bera (metal-isolatzaile-semiconductor) aparatu honen barne egitura ezaugarria. Eta hain zuzen ere, itxiera da iturri eta ihesa ez-eroale geruza batekin isolatuta. Modernoak MIS transistore ate 0.6 mikra luzera du. Horren bidez bakarrik gainditu ahal eremu elektromagnetikoak - semiconductor egoera elektrikoak eragiten baitu.

Dezagun nola dauden eremu-efektuko transistorea, eta jakin zer bipolarra diferentzia nagusia da "anaia". Noiz bere atean beharrezko gaitasuna ez eremu elektromagnetikoak bat da. bidegurutzean iturria-ihesa bidegurutzean erresistentzia eragiten die. Hona hemen gailu hau erabiliz onurak batzuk.

• Estatuko open trantsizio erresistentzia ihesa-iturria bidea ere oso txikia da, eta MIS transistore bezala giltza elektroniko gisa erabili. Adibidez, kontrolatu daiteke dabil anplifikadorea, karga inguratuz edo logika Zirkuitu parte hartzeko.
• Era berean, kontuan izan eta sarrera handiko gailua inpedantzia. Aukera hau oso garrantzitsua da, behe-tentsioko zirkuitu lanean.
• Behe-gaitasuna ihesa-iturria trantsizio MIS maiztasun handiko gailu transistorea ematen du. distortsio ez Under seinalearen transmisioa zehar gertatzen da.
• elementuen ekoizpenean teknologia berrien garapena IGBT-transistoreak, konbinatu horietatik sortzea ekarri kualitate positiboa eremuan eta nahasmendu zelulak. horien oinarritutako Power moduluak oso zabalduta hasiberrientzat leun eta frekuentzia bihurgailuak erabiltzen dira.

diseinua eta eragiketa elementu horiek ere kontuan hartu behar direla MIS transistoreak dira oso sentikorra den zirkuituan eta overvoltage elektrizitate estatikoa. Hau da, gailua kalte daitezke ukitu kontrol terminalak bada. Noiz instalatu edo erabilera oinarri bereziak kenduz.

Gailu hau erabiltzeko Itxaropenak oso ona da. bere ezaugarri berezia dela-eta, oso zabalduta hainbat ekipamendu elektronikoa erabiltzen da. elektronika modernoetan norabideak berritzaileak botere IGBT-moduluak erabiltzea hainbat zirkuituak, eta indukzio barne funtzionamendua da.

beren ekoizpen teknologia etengabe ari hobetu da. Da eskalatzea (murrizketa) atea luzera garatu. Hau dagoeneko ona performance gailu parametroak hobetzeko.